PNY DDR4 4GB 2666 MHz CL19
Memória RAM PNY DDR4 de 4GB com velocidade de 2666 MHz e baixa latência CAS 19. Compatível com diversas velocidades, garante estabilidade e desempenho eficiente para notebooks. Fácil instalação e alta confiabilidade.
- Velocidade de 2666 MHz para desempenho aprimorado
- Compatível com velocidades 2400 MHz, 2133 MHz e 1866 MHz
- Testada para garantir estabilidade e confiabilidade
- Instalação simples em notebooks com configuração 1 x 4 GB
- Baixa voltagem de 1,2 V para maior eficiência energética
Descrição
Este módulo de memória PNY DDR4 de 4GB, com velocidade de 2666 MHz e latência CAS 19, foi projetado para aprimorar o desempenho do seu computador portátil. Com uma voltagem de 1,2 V, oferece uma velocidade aprimorada para tarefas diárias e aplicações mais exigentes, garantindo uma experiência mais fluida. Rigorosamente testada, essa memória garante estabilidade e confiabilidade em ambientes de informática reais.
Compatível com diversas velocidades, incluindo 2400 MHz, 2133 MHz e 1866 MHz, essa memória é ideal para quem busca otimizar o desempenho do seu dispositivo. A configuração em 1 x 4 GB torna a instalação simples e prática, sendo uma ótima atualização para notebooks. Com um desempenho consistente, ela atende às necessidades de usuários que buscam facilidade e eficiência.
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